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【专利】高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法

zhuanli】2010-8-7发表: 高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法
申请专利号cn91101920.0专利申请日1991.02.21名称高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法公开(公告)号cn1059137公开(公告)日1992.03.04类别化学。

    高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法

高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法申请专利号cn91101920.0专利申请日1991.02.21名称高断裂韧性自增强氮化硅陶瓷及其制备该陶瓷的方法公开(公告)号cn1059137公开(公告)日1992.03.04类别化学。

冶金颁证日优先权1990.8.24us07/572,823申请(专利权)陶氏化学公司地址美国密歇根发明(设计)人阿列克·桑达·j·皮茨卡;哈罗德·w·罗索;道格拉斯·b·施瓦兹;多纳得·r·比蒙;巴泊瑞·m·皮茨卡;威廉姆·j·杜本斯基国际申请国际公布进入国家日期专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利代理部代理人李瑛摘要热压一种氮化硅,致密化助剂如氧化钠,转化肋剂如氧化镧和晶须生长促进化合物如氧化镓的粉末混合物以使该混合物致密化并且就地形成β-氮化硅。

(d)至少一种晶须生长促进化合物,其数量足以促进β一氮化硅晶须的形成,该化合物为钙的一种非氧化物衍生物,或者是钠、钾、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、锶、锆、铌、钡以及镧的一种衍生物或其混合物,或者是镓、铟、铪、钽和硼的一种氧化物。

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